Implementación de la técnica de deposición química de vapor para la síntesis de películas disulfuro de molibdeno / [recurso electrónico]

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dc.contributor.advisorCortés Rojas, Andrea
dc.contributor.advisorZárate Aliaga, Antonio
dc.contributor.authorÁlvarez Zuleta, Claudia Andrea
dc.date.accessioned2026-07-01T22:48:12Z
dc.date.available2026-07-01T22:48:12Z
dc.date.issued2017
dc.descriptionEl disulfuro de molibdeno (MoS2) es un material semiconductor de la familia de los dicalcogenuros de metal de transición (TMDs) que ha atraído gran atención gracias a sus propiedades físicas, ópticas y electrónicas, ya que cuando se con na a una monocapa su banda prohibida pasa de indirecta a ser directa y es considerado como una gran alternativa para la construcción de circuitos optoelectrónicos. Se han desarrollado muchos métodos de síntesis para el crecimiento de MoS2 incluyendo como exfoliación micromecánica, síntesis hidrotermal y deposición química de vapor (CVD) entre otras. En esta investigación, se realizó el estudio de parámetros de síntesis para el crecimiento de MoS2 sobre sustrato de SiO2/Si y la implementación de un sistema de CVD de dos hornos tubulares acoplados. Se utilizaron azufre y molibdenita (MoS2) en polvo como precursores para el crecimiento MoS2 en el sistema CVD. Se realizaron varios ensayos de síntesis con distintos parámetros de deposición. Las técnicas de caracterización utilizadas son espectroscopia Raman, Microscopia electrónica de barrido (SEM), Espectroscopia foto-electrónica de rayos X (XPS) y Difracción de rayos-X (XRD). Espectroscopia Raman evidencian que se ha obtenido un espesor poco homogéneo, con un crecimiento de 2-3 capas en las distintas zonas analizadas de la muestra, las imágenes SEM se observa que el material creció con mayor extensi ón y cobertura a una longitud de 21 a 25 cm entre el material-precursor. Los resultados XRD aseguran que el disulfuro de molibdeno sintetizado corresponde al politipo 2H-MoS2 de composición estable y en XPS el estado de oxidación observado Mo4+ sugiere que las muestras formaron una estructura cristalina sin incluir estructuras metálicas o aleaciones.
dc.descriptionIncluye bibliografía p.: 66-75
dc.descriptionMagíster.
dc.description.degreelevelMagíster
dc.description.degreenameMagíster en ciencias mención física
dc.description.departmentDepartamento de física
dc.description.facultyFacultad de Ciencias
dc.description.programMagíster en ciencias mención física
dc.identifier.urihttps://itmsp.museknowledge.com/UCN?url=http://bibliotecadigital.ucn.cl/rbe/IP/tesis/2020119-1759ban57304.pdf
dc.identifier.urihttps://ucn.primo.exlibrisgroup.com/discovery/fulldisplay?vid=56UCN_INST:UCN&lang=es&search_scope=MyInst_and_CI&tab=ALL&docid=alma990000573040107936
dc.identifier.urihttps://tesis.ucn.cl/handle/20.500.14385/40260
dc.publisherUniversidad Católica del Norte,
dc.subjectMolibdeno
dc.titleImplementación de la técnica de deposición química de vapor para la síntesis de películas disulfuro de molibdeno / [recurso electrónico]
dc.typemaster thesis

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